GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法
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时间:2024-05-16 14:44:33
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基本信息
| 标准名称： | 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法 |
| 英文名称： | Test method for rseistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料化学分析 |
| 替代情况： | 替代GB 1551-1979;GB 5253-1985;被GB/T 1551-2009代替 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1995-04-18 |
| 实施日期： | 1995-01-02 |
| 首发日期： | 1979-05-26 |
| 作废日期： | 2010-06-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 上海有色金属工业总公司 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：13， 字数：20千字 |
适用范围
本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。
前言
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法 冶金 金属材料试验 金属材料化学分析
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